تکنولوژی فایل UMC 130 nM PDK CMOS cadence IC PDK

اختصاصی از فی بوو تکنولوژی فایل UMC 130 nM PDK CMOS cadence IC PDK دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تکنولوژی فایل  UMC 130 nM PDK  CMOS cadence IC PDK

سمینار کارشناسی ارشد برق بررسی عملکرد تقویت کننده کم نویز CMOS در باند بسیار زیاد UWB

اختصاصی از فی بوو سمینار کارشناسی ارشد برق بررسی عملکرد تقویت کننده کم نویز CMOS در باند بسیار زیاد UWB دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

این محصول در قالب  پی دی اف و 81 صفحه می باشد.

این سمینار جهت ارائه در مقطع کارشناسی ارشد رشته مهندسی برق-الکترونیک طراحی و تدوین گردیده است . و شامل کلیه مباحث مورد نیاز سمینار ارشد این رشته می باشد.نمونه های مشابه این عنوان با قیمت های بسیار بالایی در اینترنت به فروش می رسد.گروه تخصصی ما این سمینار را با قیمت ناچیزی جهت استفاده دانشجویان عزیز در رابطه با منبع اطلاعاتی در اختیار شما قرار می دهند. حق مالکیت معنوی این اثر مربوط به نگارنده است. و فقط جهت استفاده ازمنابع اطلاعاتی و بالابردن سطح علمی شما در این سایت ارائه گردیده است.

چکیده:

در این گزارش ما ابتدا به معرفی و شناخت UWB و بررسی تفاوتهای آن با باند باریک (narrow band) میپردازیم. سپس ساختار کلی گیرنده و فرستنده را بطور خلاصه آورده ایم. در ادامه به مرور چند ساختار تقویت کننده کم نویز، که در این گزارش تکنولوژی CMOS مد نظر است می پردازیم.

در انتهای بررسی 13 ساختار CMOS، آنها را در یک جدول با مشخصات بهره، عدد نویز، پهنای باند کار و تکنیک مورد استفاده کنار هم قرار دادیم تا یک دید کلی بر روی فعالیت های انجام شده تا کنون بدست آوریم.

در دو فصل آخر این گزارش لیستی از ترانزیستور های موجود در بازار و شرکتهای تولید کننده های آنها را تهیه کرده ایم. در پایان نتیجه گیری و پیشنهاد آمده است.

مقدمه:

اخیرا کاربرد وسیع باند فرا پهن، نظر گروه کثیری از دانشمندان را به طراحی یک مدار واحد با خصوصیات عالی جلب کرده است. گسترش سریع تکنولوژیهای دیجیتال و نیمه هادی عاملی برای استفاده وسیع از طیفهای پهن و عریض شده است. روشهای مختلفی از مدولاسیون و حاملهای باند پهن ارایه شده است.

انتخاب سیگنال باند فرا پهن و مدولاسیون آن، به قابلیت استفاده ، سادگی و هزینه کم برای یک کانال بدون سیم ارتباطی شامل همه مراحل پردازش سیگنال ، بستگی دارد. کانال ممکن است محدودیت های دیگری را هنگام عبور سیگنال به ما تحمیل کند.

اساسا هر سیستم باند فراپهن از قسمتهای زیر تشکیل شده است.

– فرستنده: در حال حاضر حجم گسترده ای از پردازش اطلاعات به صورت دیجیتالی صورت می گیرد که در آن از پالسهایی با دو سطح بالا و پایین استفاده میشود. یک مولد سیگنال با توان پایین اطلاعات دیجیتال را به پالسهای متوالی تبدیل میکند یا به اصطلاح مدوله میکند. برای این منظور از مدولاسیون های مختلفی از جمله مدولاسیون مکان پالس و مدولاسیون دامنه پالس و… استفاده میشود. سپس سیگنال حاصل به مولد/تقویت کننده سیگنال توان بالای خروجی میرود. در بعضی فرستندههای باند فرا پهن از مولد توان بالا استفاده میشود بدین معنی که سیگنال پالسی ایجاد شده توسط بخش توان پایین با روشن و خاموش کردن ترانزیستورهای مولد مشابه همین پالسها را با توان بسیار بالا در خروجی ایجاد میکند. در بعضی فرستنده های دیگر نیز ممکن است مشابه سیستم های رایج باند باریک از همان تقویت کننده های توان بالا برای تقویت سیگنال پالسی استفاده شود.

– آنتن (گیرنده/فرستنده): آنتن در فرستنده در حقیقت پذیرای پالسهای بسیار باریک فرستنده میباشد بدین معنی که یک جریان لحظه ای بسیار زیاد به آنتن فرستاده میشود. در گیرنده آنتن مانند بقیه سیستمهای باند باریک عمل میکند. ضمنا آنتن ممکن است باعث افت انتشار و اعوجاج نیز شود.

– گیرنده: در ابتدا گیرنده سیستم باند فراپهن مانند سایر سیستمهای باند باریک با پهنای باند فراپهن سیگنال پالس دریافت شده به وسیله آنتن را توسط تقویتکننده کم نویز و فیلتر تقویت و فیلتر کرده و سپس آن را دمدوله و اطلاعات ارسال شده را استخراج میکند.

بعضی فاکتورها مثل تنظیم فرکانس و امکان تداخل میان سیستمهای باند فرا پهن و سیستمهای باند باریک دیگر باید به خوبی مد نظر قرار گیرند. واضح است که استفاده از حامل هارمونیکی سیستم را پیچیده تر میکند. به واسطه افزایش سرعت حالتهای گذرای High-Low میتوان حالتهای گذرای کوتاه را مستقیماً در فضا پراکنده کرد. و حامل هارمونیکی را حذف کرد. اما بعضی کارها از جمله شکل دهی و بحثهای مربوط به توان ضروری است.

طبق گزارش FCC باند فرکانسی 3.1-10.6GHz به UWB اختصاص یافته است. تکنولوژی باند فرا پهن فرصت خوبی را برای نرخ اطلاعات خیلی بالا برای خطوط ارتباطی گیگا بایت، با سرویس بی سیم ارایه می دهد. مقررات FCC، چگالی طیفی توان ماکزیمم را درباند 3.1-10.6GHz روی -41.3 dBm/MHz محدود می کند.

در گیرنده UWB، تقویت کننده کم نویز توسط یک یا چند طبقه گین بدست می آید. بنابر این نمایش نویز گیرنده به عدد نویز و بهره توان تقویت کننده کم نویز بستگی دارد.

در گیرنده UWB، بر خلاف عملکرد در باند باریک، تقویت کننده کم نویز یک بلوک بحرانی است که سیگنال های ضعیف را از کل باند UWB می گیرد و آنها را با نسبت سیگنال به نویز خوب تقویت می کند. بعلاوه بهره توان بالا و یکنواخت، تطبیق امپدانس ورودی و عدد نویز مناسب در کل باند فرکانسی UWB مورد نیاز است.

دانلود فایل کتابخانه ای تکنولوژی های cmos برای نرم افزار Hspice

اختصاصی از فی بوو دانلود فایل کتابخانه ای تکنولوژی های cmos برای نرم افزار Hspice دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود فایل های  کتابخانه ای تکنولوژی های cmos برای نرم افزار Hspice

مجموعه ای کم نظیر از فایل های کتابخانه ای تکنولوژی های cmos

تکنولوژی های cmos 0.35 میکرومتر ،  0.25 میکرومتر ، 0.18 میکرومتر ، 0.13 میکرومتر ، 90 نانومتر ، 65 نانومتر ، 45 نانومتر و قطعات نرمال و استاندارد

به شرح زیر :

فایل کتابخانه ای مدل 0.35 میکرومتر

             TSMC SPICE MODEL              

**********************************************

PROCESS : 0.35um SILICIDE (SPQM,3.3V/5V) LOGIC

MODEL   : BSIM3 ( V3.1 )

DOC NO. : TA-1095-6009

VERSION : V2.4

DATE   : June 21, 2000

HSPICE VERSION : H98.2

فایل کتابخانه ای مدل 0.25 میکرومتر

PROCESS : 0.25um EE141         (2.5V)  

SPICE MODEL     BSIM3 - V3.1            

فایل کتابخانه ای مدل 0.18 میکرومتر

             TSMC SPICE MODEL              

**********************************************

PROCESS : TSMC 0.18um Mixed Signal SALICIDE (1P6M, 1.8V/3.3V)

MODEL   : BSIM3 ( V3.2 )

DOC. NO.: T-018-MM-SP-002

VERSION : 2.0

DATE   : Feb. 12, 2004

HSPICE VERSION : H98.2 & H98.4

فایل کتابخانه ای مدل 0.18 میکرومتر آر اف

             TSMC RF SPICE MODEL          

**********************************************

This model has been modified for RF purppose.

PROCESS : 0.18um Mixed-Signal SALICIDE(1P6M+, 1.8V/3.3V)

MODEL   : BSIM3 ( V3.24 )

DOC. NO.: T-018-MM-SP-001

VERSION : 1.3

DATE   : Aug. 19, 2004

HSPICE VERSION : H2002.2

فایل کتابخانه ای مدل 0.13 میکرومتر

             BSIM3 SPICE MODEL            

**********************************************

PROCESS : 0.13um LOGIC SALICIDE (1P8M,1.2V/2.5V)

MODEL   : BSIM3 ( V3.1 )/BSIM3( V3.1 ) /BSIM3 ( V3.2 )

PROCESS : BSIM3 CL013G 1.2V

VERSION : 0.1(unofficial)/ 0.11 / 1.0

DATE   : July 5, 2000 /July 18 2000 /Nov 3 2000

HSPICE VERSION : For H98.2, H98.4

فایل کتابخانه ای مدل 90 نانو متر

Beta Version released on 2/22/06

PTM 90nm NMOS

PTM 90nm PMOS

فایل کتابخانه ای مدل 65 نانو متر

Beta Version released on 2/22/06

PTM 65nm NMOS

PTM 65nm PMOS

فایل کتابخانه ای مدل 45 نانو متر

PTM Low Power 45nm Metal Gate / High-K / Strained-Si

nominal Vdd = 1.1V

PTM 45nm NMOS

PTM 45nm PMOS

فایل کتابخانه ای قطعات نرمال

NORMAL DEVICES MODEL

شامل موارد زیر :

NMOS DEVICES MODEL

PMOS DEVICES MODEL

MODEL OF NORMAL NMOS WITH ESD IMPLANT

5V DEVICES MODEL

5V NMOS DEVICES MODEL

5V PMOS DEVICES MODEL

MODEL OF 5V NMOS WITH ESD IMPLANT

MODEL OF P+/NW/PSUB VERTICAL PNP10X10 BIPOLAR

EMITTER AREA : 10X10   UM^2

BASE AREA : 28X28   UM^2

MODEL OF N+/PW DIODE

MODEL OF P+/NW DIODE

MODEL OF NW/PSUB DIODE

RESISTOR MODEL

دانلود حل المسائل کتاب طراحی مدارات Cmos VLSI

اختصاصی از فی بوو دانلود حل المسائل کتاب طراحی مدارات Cmos VLSI دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود حل المسائل کتاب cmos vlsi design

دانلود حل المسائل کتاب طراحی مدارات Cmos VLSI

65 صفحه با فرمت PDF و با کیفیت عالی

جزوه آموزشی درس CMOS دانشگاه تهران، استاد امید شعاعی

اختصاصی از فی بوو جزوه آموزشی درس CMOS دانشگاه تهران، استاد امید شعاعی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود جزوه آموزشی کامل درس CMOS دانشگاه تهران، تهیه شده توسط استاد امید شعاعی 

فرمت PDF تایپ شده و با کیفیت عالی