تحقیق در مورد حافظه ها

اختصاصی از فی بوو تحقیق در مورد حافظه ها دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه: 25

فهرست مطالب

انواع حافظه

حافظه RAM

مبانی حافظه های RAM

انواع حافظه RAM به چه میزان حافظه نیاز است؟

حافظه ROM

مبانی حافظه های  ROM

حافظه PROM

حافظه EPROM

حافظه های EEPROM و Flash Memory

مقدممه

حافظه RAM، یک تراشه مدار مجتمع (IC) بوده که از میلیون‌ها ترانزیستور و خازن تشکیل شده است. در اغلب حافظه‌ها با استفاده و بکارگیری یک خازن و یک ترانزیستور می‌توان یک سلول را ایجاد کرد. سلول فوق قادر به نگهداری یک بیت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بیت را که یک و یا صفر است، در خود نگهداری خواهد کرد. عملکرد ترانزیستور مشابه یک سوییچ بوده که امکان کنترل مدارات موجود بر روی تراشه حافظه را بمنظور خواندن مقدار ذخیره شده در خازن و یا تغییر وضعیت مربوط به آن، فراهم می نماید. خازن مشابه یک ظرف (سطل) بوده که قادر به نگهداری الکترون‌ها است. بمنظور ذخیره سازی مقدار "یک" در حافظه، ظرف فوق می‌بایست از الکترونها پر گردد. برای ذخیره سازی مقدار صفر، می بایست ظرف فوق خالی گردد. مسئله مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است (وجود سوراخ در ظرف) بدین ترتیب پس از گذشت چندین میلی‌ثانیه یک ظرف مملو از الکترون تخلیه می گردد. بنابراین بمنظور اینکه حافظه بصورت پویا اطلاعات خود را نگهداری نماید، می بایست پردازنده و یا "کنترل کننده حافظه" قبل از تخلیه شدن خازن، مکلف به شارژ مجدد آن بمنظور نگهداری مقدار "یک" باشند. بدین منظور کنترل کننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده و مجددا" اطلاعات را بازنویسی می نماید. عملیات فوق (Refresh)، هزاران مرتبه در یک ثانیه تکرار خواهد شد. علت نامگذاری DRAM بدین دلیل است که این نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پویا خواهند بود. فرآیند تکراری " بازخوانی / بازنویسی اطلاعات" در این نوع حافظه ها باعث می شود که زمان تلف و سرعت حافظه کند گردد.

سلول های حافظه بر روی یک تراشه سیلیکون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها (خطوط بیت) و سطرها (خطوط کلمات) تشکیل می گردند. نقطه تلاقی یک سطر و ستون بیانگر آدرس سلول حافظه است.
حافظه های DRAM با ارسال یک شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزیستور در هر بیت ستون، خواهند شد.در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعیتی خواهند شد که خازن می بایست به آن وضغیت تبدیل گردد. در زمان خواندن Sense-amplifier ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گیری می نماید. در صورتیکه سطح فوق بیش از پنجاه درصد باشد مقدار "یک" خوانده شده و در غیراینصورت مقدار "صفر" خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عملیات فوق بسیار کوتاه بوده و بر حسب نانوثانیه ( یک میلیاردم ثانیه ) اندازه گیری می گردد.

تحقیق در مورد انواع حافظه

اختصاصی از فی بوو تحقیق در مورد انواع حافظه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه:28

 فهرست مطالب

مقدمه     

سخت افزار

حافظه ROM

• ROM
• PROM
• EPROM
• EEPROM
• Flash Memory

مبانی حافظه های ROM

حافظه PROM

حافظه EPROM

حافظه های EEPROM و Flash Memory

• RAM
• ROM
• Cache
• Dynamic RAM
• Static RAM
• Flash Memory
• Virtual Memory
• Video Memory
• BIOS

سخت افزار

حافظه RAM

مبانی حافظه های RAM

حافظه های SRAM دارای

بررسی خطاء

انواح حافظه RAM

مقدمه     

استفاده از کامپیوتر در ایران از چند سال قبل رایج شده است . امروزه در موارد متعددی از کامپیوتراستفاده بعمل می آید. چرخه استفاده از کامپیوتر از مرحله تهیه سخت افزارهای لازم شروع و در ادامه با نصب تجهیزات سخت افزاری زمینه استفاده از مقولات دیگر نظیر : نرم افزار، شبکه ،اینترنت و ... فراهم می‌گردد. در زمینه بکارگیری و استفاده از پتانسیل های فوق سوالات متعدد کاربردی برای هر یک از کاربران با سطوح متفاوت اطلاعاتی مطرح بوده و خواهد بود. تنها با یافتن پاسخ مناسب علمی به هر یک از موارد مطرح شده است که می توان امیدوار به ایجاد یک زیر ساخت مناسب فرهنگی بمنظور استفاده از کامپیوتر در جایگاه واقعی خود بود. در صورت نیل به هدف فوق شتاب حرکات هدفمند بمنظور نهادینه شدن فرهنگ عمومی استفاده و بکارگیری سیستم های سخت افزاری نرم افزاری و شبکه سیر منطقی و معقول خود را طی خواهد کرد.

در این بخش به سوالات متداول در زمینه کامپیوتر پرداخته و با ارائه پاسخ های مناسب علمی گامی هر چند اندک در زمینه ایجاد و بهینه سازی فرهنگ استفاده از کامپیوتر در کشور بردارد. بدین منظور بخش های متعدد ایجاد و با ساختاری که در قسمت سمت راست این صفحه مشاهده می نمائید سازماندهی شده اند. سوالات موجود در هر بخش به مرور زمان افزایش خواهند یافت . روش پاسخ به سوالات مورد نظر بصورت کاملا" علمی و مختصر خواهد بود. کاربران با مراجعه به هر یک از بخش های فوق و انتخاب سوال مورد نظر قطعا" پاسخی مناسب را دریافت خواهند کرد. هدف از راه انداری این بخش، ایجاد یک " دایره المعارف علمی " در رابطه با کامپیوتر با بهره گیری از پتانسیل های وب است . این بخش کاملا" پویا بوده و سعی خواهد شد که همواره "حرفی تازه" برای کاربران داشته باشد.

منابع : برای تهیه مطالب این بخش، از سایت های متعدد استفاده شده است . سایت http://www.howstuffworks.com/ بعنوان هسته اصلی مطالب این بخش می باشد. پیشاپیش از مدیریت سایت معظم فوق، Marshall Brain تشکر کرده و امیدواریم سایت فوق همچنان یکی از موفق ترین سایت های موجود بر روی اینترنت باشد. از سایر نویسندگان مقالات که از مطالب آنها در تهیه محتویات این بخش استفاده شده ، تشکر کرده و از اینکه اسامی آنان ذکر نشده ، پوزش ما را پذیرا باشند. یکی دیگر از سایت هائی که از آن برای تهیه مطالب این بخش استفاده شده است ،

http://www.microsoft.com/ است .

سخت افزار

حافظه ROM

 . این نوع از حافظه ها علاوه بر استفاده در کامپیوترهای شخصی در سایر دستگاههای الکترونیکی نیز بخدمت گرفته می شوند . :

• ROM
• PROM
• EPROM
• EEPROM
• Flash Memory

هر یک از مدل های فوق دارای ویژگی های منحصربفرد خود می باشند . حافظه های فوق در موارد زیردارای ویژگی مشابه می باشند:

• داد های ذخیره شده در این نوع تراشته ها " غیر فرار " بوده و پس از خاموش شدن منبع تامین انرژی اطلاعات خود را از دست نمی دهدند.
• داده های ذخیره شده در این نوع از حافظه ها غیر قابل تغییر بوده و یا اعمال تغییرات در آنها مستلزم انجام عملیات خاصی است.

مبانی حافظه های ROM

حافظه ROM از تراشه هائی شامل شبکه ای از سطر و ستون تشکیل شده است ( نظیر حافظه RAM) . هر سطر وستون در یک نقظه یکدیگر را قطع می نمایند. تراشه های ROM دارای تفاوت اساسی با تراشه های RAM می باشند. حافظه RAM از " ترانزیستور " بمنظور فعال و یا غیرفعال نمودن دستیابی به یک " خازن " در نقاط برخورد سطر و ستون ، استفاده می نمایند.در صورتیکه تراشه های ROM از یک " دیود" (Diode) استفاده می نماید. در صورتیکه خطوط مربوطه "یک" باشند برای اتصال از دیود استفاده شده و اگر مقدار "صفر" باشد خطوط به یکدیگر متصل نخواهند شد. دیود، صرفا" امکان حرکت " جریان " را در یک جهت ایجاد کرده و دارای یک نفطه آستانه خاص است . این نقطه اصطلاحا" (Forward breakover) نامیده می شود. نقطه فوق میزان جریان مورد نیاز برای عبور توسط دیود را مشخص می کند. در تراشه ای مبتنی بر سیلیکون نظیر پردازنده ها و حافظه ، ولتاژ Forward breakover تقریبا" معادل شش دهم ولت است .با بهره گیری از ویژگی منحصر بفرد دیود، یک تراشه ROM قادر به ارسال یک شارژ بالاتر از Forward breakover و پایین تر از ستون متناسب با سطر انتخابی ground شده در یک سلول خاص است .در صورتیکه دیود در سلول مورد نظر ارائه گردد، شارژ هدایت شده (از طریق Ground ) و با توجه به سیستم باینری ( صفر و یک )، سلول یک خوانده می شود ( مقدار آن 1 خواهد بود) در صورتیکه مقدار سلول صفر باشد در محل برخورد سطر و ستون دیودی وجود نداشته و شارژ در ستون ، به سطر مورد نظر منتقل نخواهد شد.