1-1- خواص فیزیکی اسکوتریدایت CoSb3 1
1-2- خواص فیزیکی اسکوتریدایت CoSb3 با ناخالصی Fe. 6
1-3- خواص فیزیکی کلتریت Si، Sr8GaxSi46-x 9
1-4- خواص فیزیکی آلیاژ Zn4Sb3 11
1- 5- خواص فیزیکی کلکوجناید سرب.. 18
1-6- خواص فیزیکی نانو ساختار 1- بعدی Bi2Te3 23
1-7- خواص فیزیکی نانوتیوپ کربن.. 27
1- 8- خواص فیزیکی نانومیله های Bi2S3 31
مراجع 34
فهرست شکلها
شکل 1- 1: پراش پرتو x (XRD) پودرهای CoSb3 تهیه شده به روش سلووترمال در دمای مختلف و به مدت 24 ساعت [2] 2
شکل 1- 2: طرح پراش پرتو x (XRD) نمونههایE250-24, E250-48 ,E250-72 که در دمای C°250 به ترتیب به مدت 24، 48 و 72 ساعت و نمونه بالک HP500 تهیه شداند [2] 3
شکل 1-3 : تصویر FESEMپودرهای CoSb3 : (a) E250-72و (b) نمونه HP500 [2] 5
شکل 1-4 : وابستگی دمایی رسانندگی الکتریکی و ضرییب سیبک نمونه تحت گرما HP500 [2] 5
شکل 1-5 : تغییرات خواص الکترونی Co1-xFexSb3 با ناخالصی آهن : (a) ضریب هال، (b) چگالی حامل و (c) تحرک حامل [5] 7
شکل 1- 6 : تغییرات مقامت ویژه الکتریکی CoSb3 با ناخالصی آهن بر حسب چگالی حامل [5] 8
شکل 1- 7 : تغییرات ضریب سیبک CoSb3 با ناخالصی آهن بر حسب چگالی حامل [5] 8
شکل 1- 8 : طرح پراش پرتو ایکس، ARC-Gax (20 ،16 ،10 ،5 ،0x =) و پراش Sr8Ga16Si30 [7] 10
شکل 1-9: میکروگراف الکترونی ARC-Ga16 . تصویر در b بزرگنمایی 10 برابری ناحیه مشخص شده با مربع سفید در a است [7]. 10
شکل 1- 10: مقاومت ویژه الکتریکی Sr8Ga16Si30 بر حسب دما [7] 11
شکل 1- 11: پراش پرتو X محصول بدست آمده به روش شیمیایی در THF [12] 13
شکل 1- 12: پراش پرتو X محصول بدست آمده به روش شیمیایی به واسطه THF + DMSO [12] 14
شکل 1-13: آنالیز EDS و توزیع شیمیایی داخلی Zn و پوسته ی Sb : (a) نمودار توزیع درصد اتمی Znو Sb ، (b) میکروساختار و اسکن ED ذرات از هسته به پوسته [12] 15
شکل 1-14: طیف سنجی رامان (a) ساختار پوسته (b) فاز Zn4Sb3 ذرات [12] 16
شکل 1- 15: الگوی پراش پرتو X محصول بدست آمده از یک آمپول کوارتز برای 6 ساعت در دمای C°300 [12] 17
شکل 1- 16: عکسهایSEM پودرهای سنتز شده [12] 17
شکل 1- 17: عکسهای TEMمشاهده شده از پودر [12] 18
شکل 1- 18: وابستگی دمایی ضریب سیبک مشاهده شده از پودر [12] 18
شکل 1- 19: تغییرات ضریب جذب بر حسب طول موج برای لایه های PbTe، PbSe و PbS [19] 19
شکل 1- 20: نمودارهای (αhν) 2 بر حسب hν برای تعیین گاف نواری لایه های PbTe، PbSe و PbS [19] 20
شکل 1-21: طرحهای XRD لایه های PbTe، PbSe و PbS [19] 22
شکل 1- 22: الگوی پراش پرتو x نمونههای Bi2Te3 تهیه شده (a) بدون ماده فعالسازی (b) با SDBS (c) با PVP [29] 24
شکل 1- 23: عکس SEM، Bi2Te3 تهیه شده در غیاب ماده فعالسازی [29] 25
شکل 1- 24: عکس SEM، Bi2Te3 تهیه شده با SDBS در دماهای (a) k °373، (b) k °353 [29] 25
شکل 1-25: طرح شماتیک از مکانیسم شکلگیری (a) نانوسیم، (b) نانوتیوپ، (c) نانوپولک و(d) درخت گل [29] 26
شکل 1- 26: عکس TEM، Bi2Te3 تهیه شده با SDBS در دماهای (a) نانوتیوپ ، (b) نانوسیم [29] 27
شکل 1- 27: طرح پراش XRD نانوتیوپ کربن [34] 28
شکل 1- 28: (a) عکس TEM تعدادی از نانوتیوپها با انتهای بسته ، (b) عکس TEM نانوتیوپ تک دیواره، (c) الگوی SAED که از مرکز نانوتیوپ در(b) گرفته شده است و(d) عکس TEM یک نانوتیوپ با دو انتهای بسته و ذرات کاتالیزور در نوک تیز نانوتیوپ [34] 29
شکل 1- 29: طیف EDX ذرات کاتالیزور کپسوله شده در نوکهای تیز نانوتیوپ کربن [34] 29
شکل 1- 30: عکس HRTEMنانوتیوپها که ساختمان آن مرکب از لایه های گرافنی است. [34] 30
شکل 1- 31: طیف رامان نانوتیوپ کربن که دو پیک قوی در 1587 و cm-11346 را نشان میدهد. [34] 30
شکل 1- 32: (a) عکس SEM لایه های Bi2S3 و تصویر کوچک، عکس از قسمت مرکزی آن است، (b) تصویر TEM نانومیله های Bi2S3و تصویر کوچک طرحED آن است. [39] 31
شکل 1- 33: وابستگی دمایی چگالی حاملها (مربع خالی) و تحرک حاملها (دایرههای پر) برای لایه های Bi2S3 [39] 32
شکل 1- 34: وابستگی دمایی مقاومت ویژه الکتریکی (مربع خالی) و ضریب سیبک (دایرههای پر) و فاکتور توان (مثلث پر)، برای لایه های Bi2S3 [39] 33
فهرست جدولها
جدول 1- 1: پارامترهای الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک PbTe، PbSe و PbS [19] 21
جدول 1- 2: پارامترهای ساختاری لایه های نازک PbTe، PbSe و PbS [19] 23
1 بیان ساده شده نظریه نیمرسانا