فی بوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فی بوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

دانلود مقاله محاسبه متوسط ممان مغناطیسی هسته در یک میدان H و دمای T

اختصاصی از فی بوو دانلود مقاله محاسبه متوسط ممان مغناطیسی هسته در یک میدان H و دمای T دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود مقاله محاسبه متوسط ممان مغناطیسی هسته در یک میدان H و دمای T


دانلود مقاله محاسبه متوسط ممان مغناطیسی هسته در یک میدان H و دمای T

Application of canonical distribution in (Nuclear Magnetism)

ماده را در نظر می گیریم که دارای N0 هسته در واحد حجم باشد. و در یک میدان مغناطیسی H قرار گرفته باشد.

هر هسته دارای اسپین  و ممان مغناطیسی  است.

ممان متوسط مغناطیسی ماده  (در جهت H) در درجه حرارت T چقدر است؟

فرض می کنیم که هر هسته دارای برهم کنش ضعیف با سایر هسته ها و سایر درجات آزادی است. همچنین یک هسته را بعنوان سیستم کوچک در نظر می گیریم و بقیه هسته ها و سایر درجات آزادی را بعنوان منبع حرارتی می گیریم.

هرهسته می‌تواند دارای دوحالت باشد+یا هم‌جهت بامیدان واقع در تراز انرژی پائین

یا در خلاف جهت میدان واقع در تراز انرژی بالا

                (Cثابت تناسب است     )

چون این حالت دارای انرژی متر است پس احتمال یافتن هسته در آن بیشتر است.

از طرفی احتمال یافتن هسته در حالت تراز بالای انرژی برابر است با

 

و چون این حالت دارای انرژی بیشتری است پس احتمال یافتن هسته در آن کمتر است. (چون تعداد حالات بیشتر است با افزایشE،  افزایش می یابد و ذره شکل پیدا می شد در حالت بخصوص)

و چون احتمال یافتن هسته در حالت + بیشتر است پس ممان مغناطیسی هسته نیز باید در این جهت باشد.

با توجه به دو رابطه های مقابل مهمترین متغیر در این دو رابطه که نسبت انرژی مغناطیسی به انرژی حرارتی را نشان می دهد پارامتر زیر می باشد.

که نسبت انرژی مغناطیسی به انرژی حرارتی را نشان می دهد پارامتر زیر می باشد:

...

نوع فایل : Word

تعداد صفحه : 19

 


دانلود با لینک مستقیم


دانلود مقاله محاسبه متوسط ممان مغناطیسی هسته در یک میدان H و دمای T

مقایسه نیروی مغناطیسی و الکتریکی

اختصاصی از فی بوو مقایسه نیروی مغناطیسی و الکتریکی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقایسه نیروی مغناطیسی و الکتریکی


مقایسه نیروی مغناطیسی و الکتریکی

تعداد صفحات:31 

قالب بندی : ورد

 

 

 

 

نیروی مغناطیسی میان دو بار ، بخاطر وابستگی به سرعت از نیروی الکتریکی پیچیده‌تر است. نیروی مغناطیسی با استفاده از قانون بیوساوار تعیین می‌‌شود. نیروی مغناطیسی و نیروی الکتریکی هر دو نیروی عکس مجذور فاصله هستند، یعنی در هر دو مورد نیرو با مجذور فاصله بین دو ذره باردار نسبت عکس دارد. همچنین در هر دو مورد نیرو با حاصل ضرب اندازه دو بار نسبت مستقیم دارد، اما جهت نیروی مغناطیسی بر خلاف نیروی الکتریکی در راستای خط واصل میان ذرات نیست، یعنی نیروی مغناطیسی یک نیروی مرکزی نیست.

تنها در یک حالت نیروی مغناطیسی می‌‌تواند در امتداد خط واصل میان ذرات باشد و آن زمانی است که (سرعت ذره بارداری که بر آن نیرو وارد می‌‌شود) بر r یعنی فاصله میان ذرات عمود باشد. در این حالت ، نیرو در صفحه شامل قرار دارد. همچنین خصوصیت دیگری که نیروهای مغناطیسی دارند، این است که نیرو همیشه بر بردار عمود است. به عبارت دیگر ، میدان مغناطیسی B هرچه باشد، حاصل ضرب اسکالر بردار در بردار همواره صفر است. همچنین چون نیروی مغناطیسی بر عمود است، لذا نمی‌‌تواند بر روی ذره کار انجام دهد
.


دانلود با لینک مستقیم


مقایسه نیروی مغناطیسی و الکتریکی

اثر پارامترهای فرایند تولید کامپوزیت های مغناطیسی نرم (SMC) بر مقاومت الکتریکی و خواص مغناطیسی

اختصاصی از فی بوو اثر پارامترهای فرایند تولید کامپوزیت های مغناطیسی نرم (SMC) بر مقاومت الکتریکی و خواص مغناطیسی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

اثر پارامترهای فرایند تولید کامپوزیت های مغناطیسی نرم (SMC) بر مقاومت الکتریکی و خواص مغناطیسی


اثر پارامترهای فرایند تولید کامپوزیت های مغناطیسی نرم (SMC) بر مقاومت الکتریکی و خواص مغناطیسی در این مقاله ی کاربردی با فرمت Pdf اثر پارامترهای فرایند تولید کامپوزیت های مغناطیسی نرم (SMC) بر مقاومت الکتریکی و خواص مغناطیسی مورد تحقیق و پژوهش قرار گرفته است
در این پژوهش کامپوزیت های مغناطیسی نرم به روش فشردن گرم تولید شده اند. نمونه های حاوی درصدهای مختلف از رزین فنولیک در فشارهای 450MPa تا 950 Mpa در دماهای 150 تا 300 درجه سانتیگراد برای مدت 30 تا 90 دقیقه پرس شده و در نهایت در زمان های 8 تا 72 ساعت عملیات حرارتی شده اند. سپس مقاومت الکتریکی و خواص مغناطیسی نمونه ها اندازه گیری شد. نتایج حاصله نشان می دهند که تا فشار 850 MPa، افزایش فشار فشردن سبب افزایش چگالی شار مغناطیسی می شود، ولی فشارهای بالاتر منجر به افت آن می گردد. بررسی اثر پارامترهای فرایند بر مقاومت الکتریکی نیز نشان داد که افزایش فشار فشردن، افزایش زمان عملیات حرارتی و کاهش درصد وزنی رزین باعث کاهش مقاومت الکتریکی نمونه ها می شود.

دانلود با لینک مستقیم


اثر پارامترهای فرایند تولید کامپوزیت های مغناطیسی نرم (SMC) بر مقاومت الکتریکی و خواص مغناطیسی

مقاله تصویر برداری تشدید مغناطیسی (MRI)

اختصاصی از فی بوو مقاله تصویر برداری تشدید مغناطیسی (MRI) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

 

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

  

تعداد صفحه:19

 

  

 فهرست مطالب

اساس کار

شدت میدان مغناطیسی

نکات ایمنی

آهنربا

دیگر آهنرباها

تشریح فن آوری: اتمها

فن آوری RF

پدیدار سازی

آیندهMRI

 

در تیر ماه ١٣٥٦، اتفاقی روی داد که برای همیشه پزشکی نوین را متحول کرد. بجز در انجمن تحقیقات پزشکی، این واقعه در آغاز تنها یک موج کوچک در جهان بیرون بوجود آورد؛ و آن چیزی نبود بجز نخستین آزمایش MRI بر روی بشر.

در آن آزمایش، در حدود ٥ ساعت زمان جهت ایجاد تنها یک تصویر لازم بود. از منظر استانداردهای امروزی، تصویر اولیه تقریبا زشت بود. دکتر ریموند دامادین، یک دانشمند فیزیک دان، به همراه همکارانش دکتر لاری مینکف و دکتر مایکل گلداسمیت، تلاش خستگی ناپذیری در ٧ سال متمادی برای رسیدن به این نقطه، انجام دادند. آنان نخستین ماشین خود را برای رد گفته های کسانی که آن کار را انجام نشدنی می‌دانستند، شکست ناپذیر نام دادند.

این ماشین اکنون در مؤسسه اسمیت سونیان قرار دارد. تا حدود ١٣٦١، MRI هایی با پویشگر کاملا دستی در سراسر ایالات متحده وجود داشت. امروزه هزاران عدد از MRI‌ ها در چند ثانیه کاری که به ساعتها زمان نیاز داشت انجام می دهند.
MRI
یک فن آوری بسیار پیچیده که توسط بسیاری قابل درک نیست، می باشد. در زیر، به توصیف مختصری از آن می پردازیم.


دانلود با لینک مستقیم


مقاله تصویر برداری تشدید مغناطیسی (MRI)

تحقیق در مورد دیسک نوری – مغناطیسی

اختصاصی از فی بوو تحقیق در مورد دیسک نوری – مغناطیسی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق در مورد دیسک نوری – مغناطیسی


تحقیق در مورد دیسک نوری – مغناطیسی

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

 

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

  

تعداد صفحه:15

 

  

 فهرست مطالب

 

دیسک نوری – مغناطیسی

مقدمه

مزیتهای دیسکهای نوری

ذخیره و خواندن اطلاعات ذخیره شده

ثبت کردن

مواد ثبت کننده

خواندن داده‌ها از دیسکهای نوری

مزیتهای استفاده از نور بازتابی بجای نور عبوری

دیسکهای نوری قابل پاک شدن

منابع

 

 

 

مقدمه

با تلفیق دو تکنولوژی مغناطیس و نور ، تلاش می شود تا دیسکهایی ایجاد شوند که هم خاصیت قابل پاک شدن و باز نویسی دیسکهای مغناطیسی را داشته باشند و هم چگالی و ظرفیت بسیار بالای دیسکهای نوری. به نظر می‌رسد که اینگونه دیسکها در تولید انبوه به بازار مصرف عرضه شده است. قطر این دیسکها 5 اینچ بوده ، از نوع پاک شدنی هستند و از سرعت بسیار بالایی برخوردارند ، سرعت انتقال در این دیسکها حدود یک مگابایت در ثانیه و یا بیشتر است. در سالهای اخیر دیسکهای نوری بطور وسیعی برای سرگرمی ، برنامه‌های تعلیم و تربیت و ارتباطات تصویری – صوتی بکار گرفته شده است. در زمینه ذخیره اطلاعات ، سیستمهای ثبت نوری مستقیم به عنوان تجهیزات یارانه‌ای معروف شده‌اند، جایی که ترکیب ظرفیت اطلاعات خیلی زیاد و دسترسی سریع به آنها توسط دیسکهای نوری یک جایگزین جذاب برای روشهای دیگر ذخیره حافظه یارانه‌ای است. ظرفیت اطلاعات زیاد ، طول عمر زیاد و زمان طولانی نگهداری ، کاربردهای ذخیره و ... را منحصر به خود کرده است.



 در تمام سیستمهای دیسک نوری ، مانند دیسکهای ضبط صدا (دیسک بسته یا CD) ، دیسکهای نمایشی (که معمولا نمایش لیزری یا LV نامیده می‌شود) و دیسکهای ذخیره داده‌ها ، ما فرض می‌کنیم که اطلاعات بر روی دیسک ثبت می‌شود یا نوشته می‌شود و مجددا با استفاده از نور خوانده می‌شود. در عمل تعداد زیادی از لیزرها مانند لیزر یون - آرگون HeNe ، HeCd و دیود لیزر نیم هادی AlGaAs به عنوان چشمه‌های نور برای نوشتن و خواندن بکار گرفته شده‌اند. در حقیقت روشهای دیگر برای نوشتن و خواندن دیسک وجود دارد که ما به آن نخواهیم پرداخت.


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق در مورد دیسک نوری – مغناطیسی