لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه45
فهرست مطالب
مقدمه
تئوری اثرهال
اساس سنسورهای اثرهال
سنسورهای آنالوگ
سیستم های مغناطیسی
سنسورهای موقعیت تشخیص پره ( Vane Operated Position Sensor)
اساس عملکرد
یک عنصر هال از لایه نازکی ماده هادی با اتصالات خروجی عمود بر مسیر شارش جریان ساخته شده است وقتی این عنصر تحت یک میدان مغناطیسی قرار می گیرد، ولتاژ خروجی متناسب با قدرت میدان مغناطیسی تولید می کند. این ولتاژ بسیار کوچک و در حدود میکرو ولت است. بنابراین استفاده از مدارات بهسازی ضروری است. اگر چه سنسور اثرهال، سنسور میدان مغناطیسی است ولی می تواند به عنوان جزء اصلی در بسیاری از انواع حسگرهای جریان، دما، فشار و موقعیت و … استفاده شود. در سنسورها، سنسور اثر هال میدانی را که کمیت فیزیکی تولید می کند و یا تغییر می دهد حس می کند
ویژگیهای عمومی
ویژگیهای عمومی سنسورهای اثرهال به قرار زیر می باشند
1 - حالت جامد ؛
2 - عمر طولانی ؛
3 - عمل با سرعت بالا-پاسخ فرکانسی بالای 100KHZ ؛
4 - عمل با ورودی ثابت (Zero Speed Sensor) ؛
5 - اجزای غیر متحرک ؛
6-ورودی و خروجی سازگار با سطح منطقیLogic Compatible input and output ؛
7 - بازه دمایی گسترده (-40°C ~ +150°C) ؛
8 - عملکرد تکرار پذیرعالی Highly Repeatable Operation ؛
9 - یک عیب بزرگ این است که در این سیستمها پوشش مغناطیسی مناسب باید در نظرگرفته شود، چون وجود میدان های مغناطیسی دیگر باعث می شود تا خطای زیادی در سیستم اتفاق افتد
تاریخچه
اثرهال توسط دکتر ادوین هال (Edvin Hall) درسال 1879 در حالی کشف شد که او دانشجوی دکترای دانشگاه Johns Hopkins در بالتیمر(Baltimore) انگلیس بود.
هال درحال تحقیق بر تئوری جریان الکترون کلوین بود که دریافت زمانی که میدان یک آهنربا عمود بر سطح مستطیل نازکی از جنس طلا قرار گیرد که جریانی از آن عبور می کند، اختلاف پتانسیل الکتریکی در لبه های مخالف آن پدید می آید.
او دریافت که این ولتاژ متناسب با جریان عبوری از مدار و چگالی شار مغناطیسی عمود بر مدار است. اگر چه آزمایش هال موفقیت آمیز و
تحقیق در مورد سنسورهای اثرهال
