فی بوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فی بوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

مقاله رمزنگاری کلید عمومی وrsa

اختصاصی از فی بوو مقاله رمزنگاری کلید عمومی وrsa دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله رمزنگاری کلید عمومی وrsa


مقاله رمزنگاری کلید عمومی وrsa

دانلود مقاله رمزنگاری کلید عمومی وrsa در 20 ص با فرمت word 

 

 

 

 

 

 

 

مروری کوتاه:

رمزنگاری کلید مخفی: رمزنگاری سنتی کلید مخفی؛ از یک کلید تنها که بین هر دو طرف گیرنده و  فرستنده به اشتراک گذاشته شده است استفاده می کند.اگر این کلید فاش شود ارتباط به خطر می افتد.همچنین این روش از گیرنده در برابر پیام های جعلی ارسال شده که ادامی کنند از طرف فرستنده ی خاصی می ایند محافظت نمی کند.

رمزنگاری کلید عمومی: این روش که رمزنگاری دوکلیده نیز خوانده می شود از دو کلید برای عمل رمز نگاری استفاده می کند:

یکی کلید عمومی که توسط همه شناخته شده است.و برای به رمز درآوردن پیغام ها و تشخیص امضا ها مورد استفاده قرار می گیرد.

دیگری کلید خصوصی که فقط گیرنده از آن اطلاع دارد و برای رمز گشایی پیغام و همچنین ایجاد امضا مورد استفاده قرار می گیرد.


دانلود با لینک مستقیم


مقاله رمزنگاری کلید عمومی وrsa

اقدام پژوهی مربی بهداشت : چگونه می توانم عادت های صحیح بهداشتی مانند مسواک زدن را در دانش آموزان تقویت کنم

اختصاصی از فی بوو اقدام پژوهی مربی بهداشت : چگونه می توانم عادت های صحیح بهداشتی مانند مسواک زدن را در دانش آموزان تقویت کنم دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

اقدام پژوهی مربی بهداشت : چگونه می توانم عادت های صحیح بهداشتی مانند مسواک زدن را در دانش آموزان تقویت کنم


 اقدام پژوهی مربی بهداشت : چگونه می توانم عادت های صحیح بهداشتی مانند مسواک زدن را در دانش آموزان تقویت کنم

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

    فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

    تعداددصفحه:16

مسواک زدن صحیح از ارکان اصلی مقوله ی بهداشت دهان و دندان است. اغلب افراد در طی شبانه روز مسواک می زنند، ولی چیزی که کمتر به آن توجه می شود، نحوه صحیح مسواک زدن می باشد، طوری که در اکثر موارد مسواک زدن با مسواک نزدن زیاد تفاوتی نمی کند.

یادگیری مسواک زدن صحیح، کمک شایانی در امر بهداشت دهان و دندان خواهد داشت، آموزش صحیح مسواک زدن باید از دوران کودکی وتوسط خانواده ها انجام گیرد موضوعی که کمتر مورد توجه قرار می گیرد این آموزش در مدارس نیز بطور کامل انجام نمی گیرد .آموزش مسواک زدن به شکل صحیح باید به صورت عملی ویا با استفاده از تصاویر مناسب باشد تا دانش آموز روش صحیح انجام کار را بیاموزد.


دانلود با لینک مستقیم


اقدام پژوهی مربی بهداشت : چگونه می توانم عادت های صحیح بهداشتی مانند مسواک زدن را در دانش آموزان تقویت کنم

خلاصه کتاب متره، برآورد و آنالیز بهاء (جلد اول )(تالیف مهندس نصرت الله حقایقی)

اختصاصی از فی بوو خلاصه کتاب متره، برآورد و آنالیز بهاء (جلد اول )(تالیف مهندس نصرت الله حقایقی) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

خلاصه کتاب متره، برآورد و آنالیز بهاء (جلد اول )(تالیف مهندس نصرت الله حقایقی)


خلاصه کتاب متره، برآورد و آنالیز بهاء (جلد اول )(تالیف مهندس نصرت الله حقایقی)

خلاصه ای در 23 صفحه  مناسب برای شب امتحان  همراه با نمونه سوال با پاسخ

وقتتان را صرف پیدا کردن پاسخ از پاسخنامه ها نکنید

این مجموعه شامل نمونه سوالهای زیر به همراه پاسخ بر روی خود سوالات میباشد:

نیمسال اول 91-90

نیمسال اول 93-92

نیمسال اول 94-93

نیمسال دوم 94-93

نیمسال اول 95-94

نیمسال دوم 95-94 

ارزان بودن محصولات ما ،نشانه ی کم بودن کیفیت آن نیست ، ما به خشنودی شما می اندیشیم ...


دانلود با لینک مستقیم


خلاصه کتاب متره، برآورد و آنالیز بهاء (جلد اول )(تالیف مهندس نصرت الله حقایقی)

دانلود رام رسمی اندروید 5.1 هواوی Honor 5X (KIW-L21) با بیلد نامبر B130

اختصاصی از فی بوو دانلود رام رسمی اندروید 5.1 هواوی Honor 5X (KIW-L21) با بیلد نامبر B130 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود رام رسمی اندروید 5.1 هواوی Honor 5X (KIW-L21) با بیلد نامبر B130


دانلود رام رسمی اندروید 5.1 هواوی Honor 5X (KIW-L21) با بیلد نامبر B130

دانلود رام رسمی اندروید 5 هواوی Honor 5X (KIW-L21) با بیلد نامبر B130
دانلود رام رسمی اندروید 5 هواوی Honor 5X KIW-L21 با بیلد نامبر B130
دانلود رام رسمی اندروید 5 هواوی Honor 5X KIW-L21
دانلود رام رسمی اندروید 5 هواوی Honor 5X

این رام دارای منو و کیبورد فارسی می باشد

آموزش فلش زدن گوشی و تبلت های هواوی

1 از داخل رام دانلود شده با پسوند ZIP یا RAR ، فایل اصلی UPDATE.APP را پیدا کنید. ( معمولا داخل فولدر Software و سپس dload قرار دارد. )

2 UPDATE.APP را از طریق کامپیوتر (توصیه شده) یا گوشی با فایل منیجر X-Plore اکسترکت و به مسیر زیر در رم (SD Card) یا حافظه داخلی منتقل کنید.
SD Card/dload/UPDATE.APP
    اگر فولدر dload وجود نداشت خودتان آن را ایجاد کنید (به کوچکی و بزرگی حروف توجه کنید)
    داشتن فضای کافی در گوشی بسیار مهم هست (باید فضای خالی بیش از حجم فایل UPDATE.APP داخل فایل فشرده باشد)
    با نرم افزار X-Plore قبل از اکسترکت می توانید فایل فشرده را باز کرده و حجم UPDATE.APP را متوجه شوید.
    استفاده از فایل منیجر خود گوشی یا فایل منیجر های دیگر مثل Es File Explorer در اکسترکت فایل به دلیل حجم بالا ناموفق خواهد بود.

3 به سه طریق آپدیت انجام می شود.
1- کد دیالر : کد *#*#2846579#*#*  را گرفته و Sofware Update را انتخاب کنید. مسیر در اندروید 4  ProjectMenu > Upgrade > Sd Card Upgrade است.
    در این روش اطلاعات حافظه داخلی شما حذف خواهد شد. (اطلاعات روی MicroSD مانند عکس و فیلم ها حذف نمی شود)
    این روش توصیه شده ایران موبایل می باشد.
2- لوکال آپدیت : به مسیر Settings >Updater > Menu >Local update رفته سپس Full package :UPDATE.APP را انتخاب و Install بزنید.
    در اندروید 6 این روش حذف شده است.
    در این روش اطلاعات موجود روی حافظه داخلی شما حذف نخواهد شد. (اما اگر به منظور دانگرید از آن استفاده شود اطلاعات حذف می شود)
3- سه دکمه ای : گوشی را خاموش کنید. سه کلید Power + Volume UP + Volume Down با هم گرفته و بعد از روشن شدن گوشی رها کنید تا وارد صفحه آپدیت شود.
    این روش برای وقتی گوشی شما بالا نمی آید (Break) مناسب است.
    در این روش اطلاعات حافظه داخلی شما حذف خواهد شد. (اطلاعات روی MicroSD مانند عکس و فیلم ها حذف نمی شود)

4 بعد از نصب محتوای فولدر dload را با فایل منیجر خود گوشی حذف کنید.


دانلود با لینک مستقیم


دانلود رام رسمی اندروید 5.1 هواوی Honor 5X (KIW-L21) با بیلد نامبر B130

سمینار در مورد یون گیری واکنشی

اختصاصی از فی بوو سمینار در مورد یون گیری واکنشی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

سمینار در مورد یون گیری واکنشی


سمینار در مورد یون گیری واکنشی

لینک خرید و دانلود در پایین صفحه

فرمت :word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحات :98

 

فهرست:

 

پیشنهادهای فهرست شدة سمینار:  July 8-12,2002کمبریج، ماساچوست

  • ارزیابی های سمینار
  • معرفی سمینار
  • طرح کلی سمینار
  • شرح حال و تحقیقات جاری هرب ساوین
  • زمینه ها و خصوصیات خواسته شده از ثبت نام کنندگان
  • روند کار و نوع سمینار
  • اطلاعات برای ذخیره جا در هتل
  • اطلاعات ثبت نام
  • آموزش در سایت
  • یادداشتهای نمونه سمینار
  • مقالات اخیر ساوین
  • تماس ها برای سوالات
  • ثبت نام در وب سایت
  • اطلاعات ناحیة بوستون
  • سوابق آقای ساوین


1-معرفی

  • فیزیک پلاسما
  • فرآیند ریزالکترونیک

2-سیفتیک گازی (Gas Kinetics)

  • مدل سیفتیک گازی
  • مدل توزیع ماکسول- بولتزمن
  • مدل گازی ساده شده
  • محتوای انرژی
  • نرخ برخورد بین مولکولها
  • مسیر آزاد
  • سیالیت عددی ذرات گاز روی یک سطح
  • فشار گازی
  • خواص انتقال
  • جریان گاز
  • وضعیت سیال
  • رسانایی رساناها
  • احتمال برخورد
  • پراکندگی گاز- گار
  • پراکندگی ذره از یک آرایش ثابت
  • انتشار ارتجاعی
  • برخورد غیر ارتجاعی
  • نمونه های فرآیندهای برخورد غیر ارتجاعی
  • عکس العمل های فاز- گازی

3-فیزیک پلاسما

  • توزیع انرژی الکترونی
  • سینتیک همگونی پلاسما
  • مدل توزیع (مارجینوا)
  • مدل توزیع (دروی وشتاین)
  • انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضایی
  • سینتیک گاز رقیق شده
  • شکافت انتشار دو قطبی
  • تجمع غلاف
  • سینتیک سادة غلاف
  • حفاظت یا پوشش «دیبای»
  • تجمع غلاف و آزمایش بوهم (Bohm)
  • آزمایش غلاف بوهم
  • خصوصیات میلة آزمایش
  • شکست و نگهداری، تخلیة rf
  • تقریب میدان مشابه
  • تقریب میدان غیرمشابه
  • مدل سازی ئیدرودینامیک خودساختة تخلیة rf
  • اندازه گیری تخریب rf
  • مدل توازن الکترونیکی
  • مقایسة تخریب rf اندازه گیری شده و محاسبه شده
  • ارائه مدل به سبک مونت کارلوی تخلیة rf
  • خود با یا سنیگ rf (تجمع خودبخودی rf)
  • سیستم همگن (متقارن)
  • توزیع ولتاژ در سیستم rf
  • توزیع ولتاژ در پلاسمای خازنی rf متقارن و غیر متقارن
  • مدار معادل تخلیة rf
  • تنظیم الکترودها
  • سینتیک بمباران یونی
  • تخلیة اپتیکی
  • لم اندازه گیری حرکت
  • ریزنگاری تخلیة اپتیکی
  • فرآیند برخورد الکترون
  • برخورد الکترونی اکسیژن در پلاسما

4-تخلیه های مدار مستقیم (DC)

  • امیژن ثانویه الکترون در بمباران یونی
  • بمباران خنثی امیژن ثانویه

...

 

یون گیری واکنشی- PECVD- Ashing- پراکنده کردن مایعات- شیمی پلاسمایی- فیزیک پلاسما- عکس العمل سطوح نسبت به یکدیگر

سخنران: Herbert H.Sawin

پروفسور مهندسی شیمی و مهندسی برق و علوم کامپیوتر از مؤسسه علم و صنعت ماساچوست (MIT)، شهر کمبریج، MA

 

پیشنهادهای فهرست شدة سمینار:  July 8-12,2002کمبریج، ماساچوست

  • ارزیابی های سمینار
  • معرفی سمینار
  • طرح کلی سمینار
  • شرح حال و تحقیقات جاری هرب ساوین
  • زمینه ها و خصوصیات خواسته شده از ثبت نام کنندگان
  • روند کار و نوع سمینار
  • اطلاعات برای ذخیره جا در هتل
  • اطلاعات ثبت نام
  • آموزش در سایت

دانلود با لینک مستقیم


سمینار در مورد یون گیری واکنشی