دانلود پاورپوینت کاربرد نظریه فازی در انتخاب تأمین کننده مواد اولیه - 63 اسلاید

اختصاصی از فی بوو دانلود پاورپوینت کاربرد نظریه فازی در انتخاب تأمین کننده مواد اولیه - 63 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مباحث موجود در پاورپوینت:

اهمیت انتخاب فروشنده مناسب

مهمترین عوامل شناسائی تأمین کنندگان

روشهای مورداستفاده برای انتخاب فروشنده

روش استدلال مبتنی بر مورد(CBR)

چرخۀ روش استدلال بر مبنای مورد(CBR)

روش استدلال مبتنی بر مورد(CBR)

تابع Sim

تئوری مجموعه های فازی و کاربرد آن درCBR

تعاریف پایۀ

کاربردنظریه فازی در CBR

معرفی مدل طراحی شده

معیارهای انتخاب فروشنده

کمی نمودن متغیرهای کلامی

مخزن خریدها

برپائی روش بازیابی

سنجش مشابهت معیارهای قطعی

سنجش مشابهت معیارهای فازی

اٍعمال روش بازیابی بر روی کلیه موارد خرید

اولویت بندی فروشندگان

تطبیق خرید

اضافه نمودن اطلاعات خرید جدید در مخزن خریدها

نحوۀ اجرای روش پیشنهادی

مثال

نتیجه گیری

مراجع

پاورپوینت کامل مدل سیگنال کوچک ترانزیستور BJT و تقویت کننده های ترانزیستوری و مدارهای بایاس (Bias) در 72 اسلاید

اختصاصی از فی بوو پاورپوینت کامل مدل سیگنال کوچک ترانزیستور BJT و تقویت کننده های ترانزیستوری و مدارهای بایاس (Bias) در 72 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

ترانزیستور پیوندی دوقطبی یا بی‌جی‌تی (به انگلیسی: BJT) توعی ترانزیستور است که دارای سه پایه به نامهای بیس (B)، امیتر (E) و کلکتور (C) می‌باشد و چون در این قطعه اثر الکترون‌ها و حفره‌ها هر دو مهم است، به آن ترانزیستور دوقطبی گفته می‌شود و در مقابل ترانزیستورهای تک‌قطبی، مانند ترانزیستور اثر میدان و ترانزیستور اتصال نقطه‌ای، قرار می‌گیرد که تنها یک نوع حامل بار دارند.

تاریخچه

عصر نوین الکترونیک نیمه رساناها با اختراع ترانزیستور دوقطبی در ۱۹۴۸ توسط باردین، براتاین و شاکلی در آزمایشگاه‌های تلفن بل آغاز شد. این قطعه به همراه همتای اثر میدانی خود تأثیر شگفتی روی تقریباً تمام حوزه‌های زندگی نوین گذاشته‌است.

انواع ترانزیستور پیوندی

با توجه به نحوهٔ قرار گرفتن نیمه‌رساناهای مثبت و منفی در ترانزیستور، آن‌ها را به دو دستهٔ پی‌ان‌پی و ان‌پی‌ان تقسیم می‌کنند.

پی‌ان‌پی

شامل سه لایه نیمه رسانا که دو لایه کناری از نوع p و لایه میانی از نوع n است، می‌باشد و مزیت اصلی آن در تشریح عملکرد ترانزیستور این است که جهت جاری شدن حفره‌ها با جهت جریان یکی است.

ان‌پی‌ان

شامل سه لایه نیمه رسانا که دو لایه کناری از نوع n و لایه میانی از نوع p است، می‌باشد. پس از درک ایده‌های اساسی برای قطعه pnp می‌توان به سادگی آنها را به ترانزیستور پرکاربردتر npn مربوط ساخت.

ساختمان ترانزیستور پیوندی

سطح مقطع ساده‌شدهٔ یک ترانزیستور پیوندی دوقطبی ان‌پی‌ان پلانار (به انگلیسی: planar)

ترانزیستور دارای دو پیوندگاه‌است. یکی بین امیتر و بیس و دیگری بین بیس و کلکتور. به همین دلیل ترانزیستور شبیه دو دیود است. دیود سمت چپ را دیود بیس-امیتر یا صرفاً دیود امیتر و دیود سمت راست را دیود کلکتور-بیس یا دیود کلکتور می‌نامند. میزان ناخالصی ناحیه وسط (بیس) به مراتب کمتر از دو ناحیه جانبی است. این کاهش ناخالصی باعث کم شدن هدایت و بالعکس باعث زیاد شدن مقاومت این ناحیه می‌گردد.

امیتر که شدیداً آلائیده شده، نقش گسیل و یا تزریق الکترون به درون بیس را به عهده دارد. بیس بسیار نازک ساخته شده و آلایش آن ضعیف است و بنابراین بیشتر الکترونهای تزریق شده از امیتر را به کلکتور عبور می‌دهد. میزان آلایش کلکتور کمتر از میزان آلایش شدید امیتر و بیشتر از آلایش ضعیف بیس است و کلکتور الکترونها را از بیس جمع‌آوری می‌کند.

محل قرار گرفتن پایه‌ها در هر ترانزیستور ممکن است متفاوت باشد —برای نمونه بیس ممکن است پایهٔ وسط یا کناری باشد— و برای یافتن آن‌ها می‌توان به کتاب‌های اطلاعت ترانزیستور مراجعه کرد. در ترانزیستورهای توان‌بالای صنعتی که به ترانزیستورهای قدرت مشهورند پایهٔ کلکتور اغلب همان بدنهٔ ترانزیستور است.

سطح تماس بین لایهٔ امیتر و بیس نسبت به سطح تماس بین لایهٔ کلکتور و بیس کمتر است. بیشترین حجم بین سه لایه را لایهٔ کلکتور و کمترین حجم را لایهٔ بیس دارد.مقاومت بین پایه‌های بیس-امیتر از مقاومت بین پایه‌های بیس-کلکتور بیشتر است و از این موضوع می‌توان برای تشخیص پایه‌های ترانزیستور استفاده کرد. ولتاژ سد دیودهای ترانزیستور برای ترانزیستورهای سیلیسیم ۰٫۷ ولت و برای ترانزیستورهای ژرمانیوم ۰٫۲ ولت است.

شکل ظاهری ترانزیستورها با توجه به توان و فرکانس کاریشان متفاوت است. در ترانزیستورهای توان‌بالای صنعتی معمولاً سوراخی روی ترانزیستور قرار دارد که برای پیچ‌شدن ترانزیستور به سطوح فلزی هیت‌سینک به کار می‌رود که این کار موجب خنک‌شدن ترانزیستور می‌گردد. اما ترانزستورهایی که در مدارهای معمولی و برای فرکانس‌های بالا ساخته می‌شوند معمولاً این سوراخ را ندارند.

طرز کار ترانزیستور پیوندی

طرز کار ترانزیستور را با استفاده از نوع npn مورد بررسی قرار می‌دهیم. طرز کار pnp هم دقیقاً مشابه npn خواهد بود، به شرط اینکه الکترونها و حفره‌ها با یکدیگر عوض شوند. در نوع npn به علت تغذیه مستقیم دیود امیتر ناحیه تهی کم عرض می‌شود، در نتیجه حاملهای اکثریت یعنی الکترونها از ماده n به ماده p هجوم می‌آورند. حال اگر دیود بیس _ کلکتور را به حالت معکوس تغذیه نمائیم، دیود کلکتور به علت بایاس معکوس عریض‌تر می‌شود.

الکترونهای جاری شده به ناحیه p در دو جهت جاری می‌شوند، بخشی از آنها از پیوندگاه کلکتور عبور کرده، به ناحیه کلکتور می‌رسند و تعدادی از آنها با حفره‌های بیس بازترکیب شده و به عنوان الکترونهای ظرفیت به سوی پایه خارجی بیس روانه می‌شوند، این مولفه بسیار کوچک است.

بایاس

تنها سه روش برای بایاس ترانزیستور پیوندی دوقطبی به کار گرفته می‌شود:

1. پیوندهای امیتر-بیس در بایاس موافق و کلکتور-بیس در بایاس مخالف
2. هر دو پیوند در بایاس موافق
3. هر دو پیوند در بایاس مخالف

در حالت اول، در یک ترانزیستور ان‌پی‌ان، چون امیتر-بیس در بایاس موافق است، پهنای ناحیهٔ سد آن کاهش می‌یابد و الکترون‌ها به سمت بیس حرکت خواهند کرد، از آنجایی که ضخامت بیس بسیار کم است الکترون‌های بسیار کمی جذب این پایه می‌شوند و چون ناخالصی بیس چندان زیاد نیست الکترون‌های کمی با ناخالصی بیس ترکیب می‌گردند، نزدیک به ۹۵ درصد الکترون‌هایی که از امیتر به سمت بیس می‌روند تحت تأثیر جاذبهٔ شدید میدان کلکتور-بیس قرار می‌گیرند و نتیجهٔ کلی این می‌شود که جریان بین امیتر و کلکتور برقرار می‌گردد.

اتصال بیس مشترک

در این اتصال پایه بیس بین هر دو بخش ورودی و خروجی مدار مشترک است. جهتهای انتخابی برای جریان شاخه‌ها جهت قراردادی جریان در همان جهت حفره‌ها می‌شود.

اتصال امیتر مشترک

مدار امیتر مشترک بیشتر از سایر روشها در مدارهای الکترونیکی کاربرد دارد و مداری است که در آن امیتر بین بیس و کلکتور مشترک است. این مدار دارای امپدانس ورودی کم بوده، ولی امپدانس خروجی مدار بالا می‌باشد. هنگام استفاده از این آرایش باید در نظر داشت که خروجی آن با ورودی‌اش ۱۸۰۰ درجه اختلاف فاز خواهد داشت.

اتصال کلکتور مشترک

اتصال کلکتور مشترک برای تطبیق امپدانس در مدار بکار می‌رود، زیرا برعکس حالت قبلی دارای امپدانس ورودی زیاد و امپدانس خروجی پائین است. اتصال کلکتور مشترک غالباً به همراه مقاومتی بین امیتر و زمین به نام مقاومت بار بسته می‌شود.

فهرست مطالب:

تحلیل DC

ساختار امیتر مشترک

خط بارهای AC و DC برای ساختار امیتر مشترک

هدایت انتقالی

مدل های سیگنال کوچک

مدل سیگنال کوچک T

اثر ارلی

مدل سیگنال کوچک هیبرید Pi

مدل فرکانس بالای ترانزیستور BJT

امپدانس ها

محاسبه hie

محاسبه re

تحلیل تقویت کننده امیتر مشترک

محاسبه امپدانس ورودی امیتر مشترک

محاسبه بهره ولتاژ امیتر مشترک

محاسبه امپدانس خروجی امیتر مشترک

محاسبه بهره جریان امیتر مشترک

مثالها

ساختار بیس مشترک

تقویت کننده بیس مشترک

محاسبه بهره و مقاومتهای ورودی و خروجی بیس مشترک

مثالها

ساختار کالکتور مشترک

محاسبه امپدانس ورودی ساختار کالکتور مشترک

محاسبه بهره ولتاژ ساختار کالکتور مشترک

محاسبه امپدانس خروجی کالکتور مشترک

مثالها

مدار بایاس مقسم ولتاژ

محاسبه ماکزیمم نوسان متقارن خروجی

طراحی شبکه های بایاس

قضیه میلر

و...

تحقیق در مورد تنظیم کننده های ولتاژ

اختصاصی از فی بوو تحقیق در مورد تنظیم کننده های ولتاژ دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 تعداد صفحه60

بخشی از فهرست مطالب

مقدمه :

* عوامل موثر بر تنظیم ولتاژ :

الف)* تغییرات ولتاژ ورودی :

ب)تغییرات ناشی از تغییر دما :

ج)تغییرات ناشی از تغییر بار :

* قسمتهای مختلف یک تنظیم کننده

الف)ترانسفورماتور:

ب)یکسوسازها

* یکسوساز نیم موج :

* بازده یکسوکننده نیم موج :

تنظیم کننده های ولتاژ

مقدمه :

در اکثر آزمایشگاههای برق از منابع تغذیه برای تغذیه مدارهای مختلف الکترونیکی آنالوگ و دیجیتال استفاده می شود . تنظیم کننده های ولتاژ در این سیستم ها نقش مهمی را برعهده دارند زیرا مقدار ولتاژ مورد نیاز برای مدارها را بدون افت و خیز و تقریباً صاف فراهم می کنند .

منابع تغذیه DC ، ولتاژ AC را ابتدا یکسو و سپس آن را از صافی می گذرانند و از طرفی دامنه ولتاژ سینوسی برق شهر نیز کاملاً صاف نبوده و با افت و خیزهایی در حدود 10 تا 20 درصد باعث تغییر ولتاژ خروجی صافی
می شود.

از قطعات مورد استفاده برای رگولاتورهای ولتاژ می توان قطعاتی از قبیل ، ترانسفورماتور ، ترانزیستور ، دیود ، دیودهای زنر ، تریستور ، یا تریاک و یا آپ امپ (op Amp) و سلف (L) و خازن (C) و یا مقاومت (R) و یا ICهای خاص را نام برد .

* عوامل موثر بر تنظیم ولتاژ :

عوامل مختلفی وجود دارند که در تنظیم ولتاژ در یک تنظیم کننده موثرند از جمله این عوامل را می توان ، تغییرات سطح ولتاژ برق ، ریپل خروجی صافیها، تغییرات دما و نیز تغییرات جریان بار را نام برد .

الف)* تغییرات ولتاژ ورودی :

در تمامی وسایل الکترونیکی و یا سیستم های الکترونیکی و مکانیکی و غیره و در تمامی شاخه های علمی طراحان برای اینکه یک وسیله یا سیستم را با سیستم های مشابه مقایسه کنند معیاری را در نظر می گیرند که این معیار در همه جا ثابت است .

در یک تنظیم کننده معیاری به نام تنظیم خط وجود دارد که میزان موفقیت یک تنظیم کننده ولتاژ در کاهش تغییرات ولتاژ ورودی را با این معیار می سنجند و به صورت زیر تعریف می کنیم :

فرمول (1ـ2)                         

که در آن  ، تغییرات ولتاژ ورودی ،  تغییرات ولتاژ خروجی ،  ولتاژ خروجی متوسط (DC) می باشد .

ب)تغییرات ناشی از تغییر دما :

یکی دیگر از عاملهای تعیین کننده در یک تنظیم کننده ولتاژ خوب تغییرات ناشی از دماست .

معیاری که تغییرات نسبی ولتاژ را برحسب دما بیان می کند ضریب دمای تنظیم کننده نام دارد که آن را با T.C نشان می دهیم و بصورت زیر تعریف می شود :

(فرمول 2-2)                            

1. C = Temperature coefficient

در رابطه فوق  ، تغییرات ولتاژ خروجی در اثر تغییرات دمای  و   مقدار متوسط (DC) ولتاژ خروجی است .

معمولاً TC برحسب  (Parts - per - million) بیان می شود و به صورت زیر تعریف می شود .

(فرمول 3-2)                              

در زیر چند نمونه از مقادیر  ،  ،  و ...  برای بعضی از سری
IC های رگولاتور ولتاژ آورده شده است .

1. C

  

Input voltage range

Type

1. 3%
2. 5%
3. 1%

  

Max

Min

1. F.C 2100m

40

1. 5
2. 3%
3. 1%
4. 1%

   

40

1. 5
2. F.C 2200m
3. 3%

  

1

1. 056%

-8

-50

1. F.C 2204

Linear integrated circuits voltage regulators

ج)تغییرات ناشی از تغییر بار :

اکثر دانشجویان در آزمایشگاه با این مسئله روبرو شده اند که وقتی ما ولتاژی را از یک منبع می گیریم و با مالتی متر اندازه گیری می کنیم ( چه در حالت DC و چه در حالت ac ) وقتیکه به مدار وصل می کنیم مقدار آن با حالت بدون بار کمی اختلاف دارد ، دلیل آن تغییر بار است ، چون وقتی به مدار وصل نیست  (بار) و وقتی به مدار وصل می شود بار تا مقدار خیلی زیادی کم می شود در حقیقت مقاومت بار تنظیم کننده ولتاژ ، مقاومت ورودی مداری است که از بیرون به آن متصل می شود و بنابراین می تواند تغییرات نسبتاً وسیعی داشته باشد .

در یک تنظیم کننده ولتاژ ایده آل مقاومت داخلی صفر است تا تغییر مقاومت بار تأثیری در ولتاژ خروجی آن نداشته باشد . در عمل تنظیم کننده ها دارای مقاومت داخلی کمی هستند و به

پروژه سیستم های خنک کننده توربین ها. doc

اختصاصی از فی بوو پروژه سیستم های خنک کننده توربین ها. doc دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

نوع فایل: word

قابل ویرایش 200 صفحه

مقدمه:

راه حل های توربین بهینه سازی شده, سان دیگو, کالیفرنیا, U.S.A

این فصل عمدتاً روی موضوعات انتقال جرم و حرارت تمرکز می یابد چون آنها برای خنک سازی مولفه های دستگاه توربین بکار می روند و انتظار می رود که خواننده با اصول مربوطه در این رشته ها آشنایی داشته باشد. تعدادی از کتابهای فوق العاده (1-7) در بررسی این اصول توصیه می شوند که شامل Streeter، دینامیک ها یا متغیرهای سیال Eckert و Drake، تجزیه و تحلیل انتقال جرم و حرارت، Incropera و Dewitt، اصول انتقال حرارت و جرم, Rohsenow و Hartnett، کتاب دستی انتقال حرارت, Kays، انتقال جرم و حرارت همرفتی, Schliching، تئوری لایه مرزی، و Shapiro، دینامیک ها و ترمودینامیک های جریان سیال تراکم پذیر

وقتی یک منبع جامع اطلاعات موجود باشد.

فهرست مطالب:

 انتخاب یک سیستم خنک سازی توربین گازی

Boris Glezer

تکنیک های خنک سازی استفاده شده متداول

تاثیر خنک سازی

مشکلات خنک سازی

ترکیب پوشش های حصار حرارتی و خنک سازی

فرایند توسعه خنک سازی ایرفویل (لایه نازک هوا)

تعریف پارامترهای شباهت انتقال توره و حرارت اصلی

کنش متقابل انتقال جرم – حرارت در لایه مرزی ایرفول

نقش تشابه در رقابت تجربی حرارت ایرفویل توربین و انتقال جرم

موضوعات انتقال حرارت گذرا و پایدار در بخش داغ موتور

دماهای فلز و تاثیر آن روی عمر مولفه های توربین

موضوعات مربوط: تغییر مکانهای حرارتی چرخاندن به ثابت گذرا و کنترل فاصله آزاد نوک

خنک سازی پروانه توربین

قابلیت تولید و هزینه

کنش متقابل با کمبوستور

انتقال حرارت تیغه

خمیدگی

تاثیرات ناهمواری

نسبت رمش

انحنای سطح

گرادیان فشار

آشفتگی جریان اصلی

شیارهای خنک سازی فیلم

تجمع فیلم

تاثیر تزریق هوای خنک سازی فیلم روی انتقال حرارت سطح

موضوعات خنک سازی دیواره نهایی

خنک سازی تیغه توربین

تاثیرات سه بعدی و دورانی روی انتقال حرارت تیغه

تاثیرات سه بعدی

برش عرضی دمای گاز پرتویی

تاثیرات ناپیوستگی

تکنیک های خنک سازی تیغه درونی

گذرگاههای درونی هموار

تیغه های میله ای

تاثیر جت

خطاهای آیرودینامیکی اضافی

جریان گردابی

خنک سازی فیلم

موضوعات خنک سازی سکو و راس

بافر کردن مجموعه دیسک و روشهای خنک سازی دیسک

خنک سازی ساختار حمایت یا حفاظت پروانه و مکان سازی توربین

خنک سازی تعریق

خنک سازی نشتی

همرفتی بخش پشتی افزوده

پوشش دهی حصار حرارتی

انتقال حرارت تجربی پیشرفته و معتبر سازی خنک سازی

معیار های انتقال حرارت بیرونی و تکنیک های معتبر سازی خنک سازی

رنگ حساس به فشار

ارزیابی نوسان غیر مستقیم

شرایط مرزی تجربی دیسک توربین

پیرومتر درج شده درگاه بروسکوب

رنگ های حرارتی دما بالا

بررسی های چند نظامی در انتخاب سیستم خنک سازی توربین

تحقیق در مورد انواع مواد پاک کننده

اختصاصی از فی بوو تحقیق در مورد انواع مواد پاک کننده دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 تعداد صفحه10

بخشی از فهرست مطالب انواع مواد پاک کننده صابون (Soap) پاک کننده های سنتزی (Synthetic detergents) صابون مایع شامپوها پودرهای لباسشویی سفید کننده ها و رنگ برها قیاس صابون و پاک کننده های سنتزی علت اثر پاک کنندگی مواد پاک کننده نگاه کلی

منظور از پاک کننده‌ها (detergehts) ، موادی هستند که ذره‌های چربی و چرک را از پارچه‌ها و یا اجسام دیگر بزدایند و در انواع مختلف تهیه می‌شوند. اولین ماده ای که به عنوان شوینده ساخته شد، صابون بود. از عمر صابون صدها سال می‌گذرد. آخرین دستگاههای صابون کشف شده ، مربوط به 2000 سال پیش است، 700 سال است که صابون‌سازی بطور صنعتی و به مقادیر زیاد ساخته می‌شود و 200 سال است که ساخت آن ، متحول گشته و به صورت کلاسیک و مدرن در آمده است.

از آن زمان تا کنون ، تعداد شوینده‌ها به حدی رسیده که قابل شمارش نیست، بطوری که امروزه در حجم انبوهی از شوینده‌ها ، به همراه تبلیغات آنها مواجه شده‌ایم. در حال حاضر در برخی کشورها ، تقریبا بیش از 80 درصد از مواد پاک کننده مصرفی از شوینده‌های سنتزی تهیه می‌شوند. لکن در مصارف عمومی واژه صابون ، مشخص کننده یک نمک فلز قلیایی یا آمونیوم یک اسید کربوکسیلیک راست زنجیر با تعداد 10-18 اتم کربن است و نام مواد شوینده به مواد صناعی با ساختمان مشابه اطلاق می‌شود. از این مواد ، در مصارف عدیده ای از جمله برای پاک کردن ، شستشو و در فرایندهای نساجی و غیره استفاده می‌گردد.

از طرف دیگر ، صابون‌های فلزی ، کربوکسیلاتهای قلیایی خاکی یا فلزات سنگین با زنجیره طویل هستند. این صابون‌ها در آب نامحلول بوده و در سیستمهای غیر آلی ، به عنوان مثال مواد افزودنی به روغنهای روان کننده ، جلوگیری کننده از زنگ زدگی ، ضد آب کردن مواد و سوختهای ژلاتین‌دار (مواد سوختنی مانند بنزین که با مواد غلیظ کننده ممزوج شده‌اند و از آنها در بمب‌های ناپالم و شعله افکن‌ها استفاده می‌شود) ، قارچ‌کشها دارای کاربرد می‌باشد.

خصوصیت قابل توجه این است که عدم توازن پلاریته (قطبیت) در داخل مولکول صابون‌ها و مواد شوینده و پاک کننده ، موجب ابراز قابلیت انحلال و ماهیت فاز غیر معمول در حلالهای قطبی و غیر قطبی می‌شود. این رفتار ، دقیقا باعث سودمندی چنین ترکیباتی در زمینه‌های خیس شوندگی ، قابلیت انحلال ، شویندگی (در مورد شستشو و خشک شویی بصورت ترامان) ، رنگرزی و بسیاری از سایر فراورده‌های صنعتی و خانگی است.

ترکیب اساسی ساختمان مولکولی پاک کننده‌ها موجب بوجود آمدن چنین صفاتی می‌گردد.